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      高品质G60N100 IGBT 1000V 60A 180W TO264 FGL60N100BNTD G60N100BNTD

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.实力供应商9 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      FGL60N100BNTD
      种类
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
      品牌
      original brand
      封装类型
      引脚直插式封装

      其他属性

      安装类型
      SMD/SMT
      描述
      标准
      原产地
      California, United States
      封装/外壳
      TO-220-3
      类型
      三极管晶体管
      零件号
      FGL60N100BNTD
      IGBT类型
      NPT和Trench
      集电极发射极击穿电压 (最大值)
      1000V
      集电器 (Ic) (最大值)
      60A
      电流收集器脉冲 (Icm)
      120A
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
      2.9V @ 15V, 60A
      功率-最大
      180瓦
      输入类型
      标准
      安装类型
      通孔

      包装和发货信息

      Packaging Details
      标准包装

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