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全新原装1N65L FQD1N65C n沟道MOSFET 1A 650V至252贴片晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
1N65L
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
UMW
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-252
类型
标准
工作环境温度
标准
系列
标准
D/C
新建
应用
标准
供应类型
原厂原装, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
FQD1N65C
可参考资料
数据表, 照片
品名
标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
Standard
安装方式
Standard
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
标准
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
2X2X2 厘米
单品毛重：
0.001 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 2500 | 2501 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 16 | 17 | 待定 |
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最大订购数量： 500 pieces
样品价格：
¥1.09/pieces
定制
LOGO定制
最小起订量: 10000
Product silk screen customization
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
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¥1.09
500 - 2499 pieces
¥0.8658
>= 2500 pieces
¥0.4329
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