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SOT-23塑料封装MOSFET CJ3400 n沟道增强模式场效应晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
CJ3400 SOT-23
种类
晶体管
品牌
CJ
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
P沟道
描述
塑料封装MOSFET
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT-23
类型
CJ3400 SOT-23
D/C
/
应用
通用
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
CJ3400 SOT-23
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
操作温度
/
电阻器 - 基底（R1）
/
电阻器 - 发射极基底（R2）
/
漏源电压（Vdss）
/
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
/
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
/
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
/
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
/
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
/
响应频率(Hz)
/
额定电流
/
噪声系数
/
功率-输出
/
电压-额定
/
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
/
Vgs（最大值）
/
IGBT 类型
/
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
/
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
/
输入
/
NTC 热敏电阻
/
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
/
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
/
漏极电流（Id） - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
/
电阻 - RDS（开）
/
电压
/
电压-输出
/
电压 - 偏移（Vt）
/
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
/
电流 - 谷值（Iv）
/
电流 - 峰值
/
应用
/
晶体管类型
/
包装和发货信息
Packaging Details
纸箱
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 9999 | > 9999 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
