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SKD502T MOSFET n-ch 85V 120A至220晶体管MOSFET原装SKD 502T SKD502T
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
SKD502T
种类
Single Bipolar Transistors
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Standard
描述
Transistor
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
类型
Standard, Transistor
工作环境温度
Standard
系列
Transistor
D/C
New
应用
Standard
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
SKD502T
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
IGBT Transistors
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Package
Original Packages
LEAD TIME
1-3 Working Days
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 17 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 10000
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