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60N60FD1全新原装IGBT 600V 60A标记TO-3P MOSFET晶体管原装SGT60N60FD1PN 60N60 60N60FD1
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
60N60FD1
种类
Single Bipolar Transistors
品牌
standard
封装类型
standard
其他属性
安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
standard
类型
transistor
工作环境温度
transistor, standard
系列
standard
D/C
standard
应用
standard
供应类型
Other
相似属性可替代料号
standard
可参考资料
Other
品名
standard
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard, 15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
N-Channel
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
MOSFET
Payment
T/T
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 17 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
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¥10.82
>= 100 pieces
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