所有类目
精选特集
Trade Assurance
买家中心
帮助中心
获取应用
成为供应商
安邦n沟道增强模式Mosfet 60V 0.3A压控小信号开关Mos Sot-23
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2N7002EY
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Anbon
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
沟槽功率MV MOSFET技术
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT-23
系列
mos
应用
固态继电器
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
anbonsemi
电压 - 集射极击穿（最大值）
60
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
0.3
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
0.3
功率 - 最大值
60瓦
操作温度
-55 ℃ 至 + 150 ℃
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
mosfet
电阻器 - 发射极基底（R2）
mosfet
FET 类型
N通道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
0.3A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mR @-10V/-12A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-2.2V @-250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
37.6nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1631pF
额定电流
0.3A
电压-额定
60v
IGBT 类型
电压控制小信号开关
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
0.3
应用
电池供电系统
晶体管类型
mos
二极管类型
MOSFET
包装
SOT-23
零件号
2N7002EY
品牌
ANBON半
姓名
N沟道增强型MOSFET
包装和发货信息
Packaging Details
密封坚固的包装
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
25000000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
定制
Customized Design
最小起订量: 10000000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
