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HYG025N04NR1C2单n沟道增强模式MOSFET
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重要属性
行业属性
型号
HYG025N04NR1C2 PDFN8L(5x6)
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
HUAYI
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMT
描述
N沟道增强型MOSFET
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
PDFN8L(5x6)
类型
MOSFET
D/C
2023
应用
其他
供应类型
原厂原装, 其他
可参考资料
数据表, 其他
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
170
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
操作温度
150 °C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.8mΩ
应用
电池保护负载开关
包装和发货信息
Packaging Details
5K/卷轴
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
5.25X6.15X1.1 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | 5001 - 10000 | 10001 - 20000 | > 20000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 10 | 15 | 待定 |
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Samples
最大订购数量： 5 pieces
样品价格：
JP¥3,145/pieces
