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EC Mart N-CH 100V 42A至247ac IRFP150N MOSFET IRFP150NPBF
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重要属性
行业属性
型号
IRFP150NPBF
种类
-
品牌
-
封装类型
-
其他属性
安装类型
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描述
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原产地
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封装/外壳
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D/C
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应用
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品名
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
-
FET 功能
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漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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配置
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
-
NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
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电压
-
电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
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应用
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零件号
IRFP150NPBF
漏源极电压 (Vdss)
100 V
电流-连续消耗 (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
驱动电压 (最大Rds On，最小Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
± 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1900 pF @ 25 V
基础产品编号
IRFP150
包装和发货信息
Packaging Details
ESD/真空/泡沫/纸箱
Port
Shenzhen/HongKong
供应能力
供应能力
5000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
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