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AP2301GN-HF-S P沟道增强模式功率MOSFET SOT-23S
暂无评价
WEN SHEUAN CO., LTD.
1 yr
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重要属性
行业属性
型号
AP2301GN-HF-S
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
APEC
封装类型
SOT-23S
其他属性
安装类型
客户规格
描述
P沟道增强型功率MOSFET
原产地
Taiwan
封装/外壳
SOT-23S
可参考资料
APEC
品名
AP2301GN-HF-S
品牌
APEC
漏极电流-最大 (ID)
2.6A
漏源导通电阻-最大值
0.13ohm
DS击穿电压-最小值
20V
总功率耗散
1.38W
脉冲漏极电流-最大值 (IDM)
10A
漏源电压
-20V
栅极-源极电压
± 12V
包装和发货信息
Packaging Details
SOT-23S
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
0.3X0.3X0.15 厘米
单品毛重:
0.001 公斤
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 3000
3001 - 21000
21001 - 60000
> 60000
美国东部时间(天)
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20
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