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40v双P沟道增强模式MOSFET
暂无评价
Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.
9 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
DMP4025LSD-13
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
DIODES
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
二极管
原产地
China
封装/外壳
SO-8
类型
MOSFET
系列
DMP4025
操作温度
-55 ℃-150 ℃
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
25 mOhms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1800 mV
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33.7 nC
IGBT 类型
MOS
配置
双
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
28A
晶体管类型
2 P通道
最低工作温度
-55摄氏度
最高工作温度
+ 150 C
正向跨导-最小值
16.6 S
Pd-功耗
1.25瓦
型号
DMP4025LSD-13
类型
MOSFET
品牌
二极管
填料
SO-8
制造年份
2022年
包装和发货信息
Packaging Details
里面的每个产品都用塑料包装,外面用纸箱包装。
Port
Shanghai
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 1000
> 1000
美国东部时间(天)
7
待定
供应商的产品说明
10 - 99 pieces
THB 4.08
100 - 999 pieces
THB 3.34
>= 1000 pieces
THB 2.23
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