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P通道30V 30A 50A增强模式功率MOSFET DFN3.3X3.3-8L HC30P03
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
P-Channel MOSFET HC30P03
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Lendo
封装类型
DFN3.3X3.3-8L
其他属性
安装类型
Standard
描述
The HC30P03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
原产地
China
封装/外壳
DFN3.3X3.3-8L
类型
P-Channel MOSFET HC30P03 SI2301
工作环境温度
-40 - 125℃
系列
Power Mosfet Transistor
D/C
23+
应用
Power management
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
P-Channel 30V 30A Enhancement Mode Power MOSFET
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
33W
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
Standard
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
20V
IGBT 类型
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
Power Mosfet Transistor
Transistors Mosfet
HC30P03
LEAD TIME
1-3 Days
N-Channel Mosfet
30V 30A
Package
DFN3.3X3.3-8L
Payment Ways
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Service
24 Hours Online
Quality
100% Original 100% Brand
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15.5X15.5X5 厘米
单品毛重：
0.250 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 2 | 待定 |
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