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FQT7N10LTF MOSFET (金属氧化物) 1 n沟道晶体管fet单双漏极QFET单fet功率MOSFET DMOS增强
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
FQT7N10LTF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
MOSFET n-ch 100v 1.7A SOT223-4
原产地
original
封装/外壳
TO-261-4 TO-261AA
类型
N通道
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
QFET
D/C
最新
应用
通用
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
FAIFSCFQT7N10LTF
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
与原件相同
电压 - 集射极击穿（最大值）
原标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
与原件相同
电流 - 集电极截止（最大值）
原标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
与原件相同
功率 - 最大值
2W (Tc)
频率 - 跃迁
原标准
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
与原件相同
电阻器 - 发射极基底（R2）
原标准
FET 类型
N通道
FET 功能
与原件相同
漏源电压（Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
350mOhm @ 850mA 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6 nC @ 5 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
290 pF @ 25 V
响应频率(Hz)
与原件相同
额定电流
原标准
噪声系数
与原件相同
功率-输出
2W(Tc)
电压-额定
与原件相同
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V 10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
原标准
配置
单双排水
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
原标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
与原件相同
输入
原标准
NTC 热敏电阻
与原件相同
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
原标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
与原件相同
漏极电流（Id） - 最大值
原标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
与原件相同
电阻 - RDS（开）
原标准
电压
与原件相同
电压-输出
原标准
电压 - 偏移（Vt）
与原件相同
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
原标准
电流 - 谷值（Iv）
与原件相同
电流 - 峰值
原标准
应用
通用
晶体管类型
N通道
SPQ
4k/卷轴
技术
MOSFET (金属氧化物)
每个芯片的元件数量
1
PCB已更改
3
Pin计数
4
导线形状
鸥翼
通道模式:
增强功能
单位重量:
0.003951盎司
正向跨导-最小值:
2.75 S
下降时间:
50纳秒
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
19X19X10 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 4000 | > 4000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
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