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Jeking 40N60M2电子元件Mosfet STF40N60M2
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
STF40N60M2
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Jeking
封装类型
-
其他属性
安装类型
-
描述
-
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
类型
-
工作环境温度
-
系列
-
D/C
新建
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM, 其他
可参考资料
数据表, 照片, 其他
品名
-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
操作温度
-
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
服务
一站式Bom服务
日期代码
最新
保修
1年
质量
100% 原创100% 品牌
数据表
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最小起订量
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认证
ISO 9000
付款方式
TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ 托管
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
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包装和发货信息
Packaging Details
ESD/真空/泡沫/纸箱
Port
Shenzhen/Hongkong
供应能力
供应能力
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交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
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