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      70N20 n沟道增强模式MOSFET 70A/200V TO-247-3L 70N20

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      Shenzhen Yinsheng Microelectronics Co., Ltd.2 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      70N20
      种类
      N沟道MOSFET
      品牌
      /
      封装类型
      通孔

      其他属性

      安装类型
      通孔
      描述
      N沟道增强型MOSFET
      原产地
      China
      封装/外壳
      TO-247-3L
      工作环境温度
      -55 ℃ ~ + 150 ℃
      D/C
      23 +
      供应类型
      原厂原装, ODM
      漏源电压（Vdss）
      200V
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      4V
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      244nC
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      3538PF
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      5uA
      漏极电流（Id） - 最大值
      70A
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      交货时间

      数量 (pieces)1 - 1000 > 1000
      美国东部时间（天）8待定

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      >= 5000 pieces
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