描述
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
与原件相同
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
与原件相同
功率 - 最大值
2.5W(Ta)104W(Tc))
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.9A(Ta)50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22mOhm @ 7.9A 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
59 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4085 pF @ 50 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
与原件相同
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
与原件相同