描述
MOSFET p-ch 8v 1.4A SC70-3
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
相似属性可替代料号
2156-NTS2101PT1G-OS
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
与原件相同
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
与原件相同
操作温度
-- 55 °C ~ 150 °C (TJ)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
100mOhm @ 1A 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.4 nC @ 5 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
640 pF @ 8 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V 4.5V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
与原件相同
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
与原件相同