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      2N6509G 2N6509至-220 25A/800V大功率单向晶闸管

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      Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.8 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      2N6509G
      种类
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
      品牌
      Original brand
      封装类型
      引脚直插式封装

      其他属性

      安装类型
      通孔
      描述
      2N6509G
      原产地
      China
      封装/外壳
      TO-220
      供应类型
      代理, 零售商, 批发商
      可参考资料
      数据表, 照片
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      标准
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      标准
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      标准
      电流 - 集电极截止（最大值）
      标准
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      标准
      功率 - 最大值
      标准
      频率 - 跃迁
      标准
      操作温度
      标准
      电阻器 - 基底（R1）
      标准
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      标准
      漏源电压（Vdss）
      标准
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      标准
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      标准
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      标准
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      标准
      日期代码
      最新
      条件
      新的和原来的
      供应商
      深圳市碧信达科技有限公司.
      无铅状态
      无铅/符合RoHS标准
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