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N沟道增强模式功率MOSFET n沟道30v Mosfet晶体管JMTP3008A SOP8用于不间断电源JMTP3008A的库存mosfet
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
JMTP3008A
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Standard
描述
Standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOP8
类型
MOSFET
工作环境温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/C
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应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装
可参考资料
照片, 数据表, EDA/CAD 模型。
品名
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N Channel
FET 功能
/
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mΩ @ VGS =10V ; 14mΩ @ VGS =4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1116 pF @15V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
20V
IGBT 类型
-
配置
/
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
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1-3 Working Days
Warranty
180 Days
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Latest Unit
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单一商品
单品包装尺寸：
10.00X10.00X10.00 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
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| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
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