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SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP R610 MOSFET N-CH 200V 35.4a PPAK SO-8
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重要属性
其他属性
原产地
ORIGINAL
品牌
ORIGINAL
型号
SIR610DP-T1-RE3
漏源极电压 (Vdss)
200V
安装类型
表面贴装, 表面贴装
包装/案例
PowerPAK SO-8
工作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ), -40 °C ~ 125 °C
功耗 (最大)
104W (Tc)
Vgs (最大值)
± 20V
类型
集成电路
应用程序
行业
包装和发货信息
Port
SZ/HK
供应能力
供应能力
1000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100 | > 100 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
