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      QZ G042N10原装100V 160A n沟道增强模式MOSFET HYG042N10NS1P

      暂无评价1 笔订单
      Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.实力供应商6 yrsCN

      重要属性

      行业属性

      型号
      HYG042N10NS1P
      种类
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
      品牌
      Original

      其他属性

      安装类型
      通孔
      描述
      100V 160A MOSFET
      原产地
      Original
      封装/外壳
      TO-247
      电流 - 集电极截止（最大值）
      作为数据表
      安装方式
      引脚直插式封装
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      作为数据表
      额定电流
      作为数据表
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      作为数据表
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      作为数据表
      漏极电流（Id） - 最大值
      作为数据表
      电压-输出
      作为数据表
      电流 - 谷值（Iv）
      作为数据表
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      交货时间

      数量 (pieces)1 - 500501 - 3000 > 3000
      美国东部时间（天）45待定

      定制

      外包裝定制
      最小起订量: 100000
      图案定制
      最小起订量: 100000
      LOGO定制
      最小起订量: 100000
      如需了解更多定制细节， 私信供应商

      供应商的产品说明

      1 - 99 pieces
      IDR 14,546
      100 - 499 pieces
      IDR 11,571
      500 - 999 pieces
      IDR 10,745
      >= 1000 pieces
      IDR 9,753

      数量

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