悬停鼠标可放大图片
所有类目
精选特集
Trade Assurance
买家中心
帮助中心
获取应用
成为供应商
MOSFET SI2301 2.8a SOT-23 P沟道增强模式场效应晶体管标记 “A1SHB” JSMICRO全新和原装
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
SI2301
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
JSMICRO
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
标准
D/C
2022
应用
通用
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
包装和发货信息
Packaging Details
原始包装
Port
SHENZHEN
供应能力
供应能力
300000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 300000 | > 300000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
供应商的产品说明
最低起订量： 1 pieces
¥0.0361 - ¥0.1442数量
物流
所选数量暂无运输解决方案商品总计（0 种规格 0 件商品)
$0.00
运费总计
$0.00
小计
$0.00
会员权益
极速退款查看详细信息
商品保障
商品保障
安全支付![]()
您在阿里巴巴国际站的每一笔支付，都通过SSL加密协议及PCI DSS数据保护协议保障支付安全
退款政策&无忧退![]()
如果您购买的商品未送达、有缺陷或损坏，您可获得退款，此外对于有质量问题的商品，支持免费本地退货
阿里巴巴国际站通过信用保障服务为您在平台上支付的所有订单提供保护