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新的原始JMSH1509AC-U到-220增强模式n沟道功率MOSFET SH1509A
5.0(2 评价)20 已售
重要属性
行业属性
型号
JMSH1509AC-U
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
China
封装/外壳
TO-220
D/C
NEW
应用
transistor
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
transistor
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
standard
安装方式
Throught Hole
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
Transistor
D/C
NEW
Specifications
SFG10R10PF
包装和发货信息
Packaging Details
管
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X1X1 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100 | > 100 |
| 美国东部时间（天） | 4 | 待定 |
