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65R130FU 650V 30A至247功率晶体管mosfet原装高JS65R130FU
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重要属性
行业属性
型号
mosfet 30N50
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YR
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Jiangsu, China
封装/外壳
To247
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 65R130FU
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Null
电压 - 集射极击穿（最大值）
Null
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Null
电流 - 集电极截止（最大值）
Null
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
操作温度
Null
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
Null
电阻器 - 发射极基底（R2）
Null
FET 类型
Null
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
Null
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Null
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Null
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Null
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Null
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Null
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Null
Vgs（最大值）
Null
IGBT 类型
Null
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Null
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Null
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Null
漏极电流（Id） - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Null
电阻 - RDS（开）
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移（Vt）
Null
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Null
电流 - 谷值（Iv）
Null
电流 - 峰值
Null
应用
Null
名称
金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 65R130FU
产品名称
降压型DC/DC转换器
类型
N通道
-颜色使用
车载充电器
包
To-247/3P
交货时间
3-15天
产地:
江苏，中国 (大陆)
付款
PayPal，Visa，西方联盟，T/T
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
包装和发货信息
Packaging Details
65R130FU mosfet package: 50 pcs in a tube.600 pcs in a box .
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.16X0.41X1.49 厘米
单品毛重：
0.003 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 10 | 待定 |
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₹85.05/pieces
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