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      N沟道增强MOSFET IXFK102N30P TO-264 102A300V

      暂无评价
      Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm5 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      IXFK102N30P
      种类
      晶体管
      品牌
      JDP/ORIGINAL Brand
      封装类型
      /

      其他属性

      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      /
      D/C
      21 +
      应用
      大功率，专用于逆变器
      供应类型
      原厂原装, ODM, 代理
      相似属性可替代料号
      /
      可参考资料
      数据表, 照片
      品名
      IXFK102N30P
      操作温度
      -65 C
      安装方式
      引脚直插式封装
      IGBT 类型
      /
      电压
      /
      应用
      逆变焊机
      系列
      IXFK102N30P
      类别
      晶体管
      付款方式
      T/T，Paypal，西联汇款 (Western Union)
      描述
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道300V 102A
      付款方式:
      L/C,D/A,D/P,T/T,Paypal,西联汇款，MoneyGram
      产品
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
      集电极-发射极电压VCEO Max
      /
      包装
      管
      制造商产品编号
      IXFK102
      漏源极电压 (vds)
      300V

      包装和发货信息

      Port
      shenzhen
      销售单位：
      单一商品
      单品包装尺寸：
      15X7X5 厘米
      单品毛重：
      0.001 公斤

      供应能力

      供应能力
      10000000 件 per Week
      展开

      交货时间

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      美国东部时间（天）4待定
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