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(晶体管) TP65H050WS 650 V 34 A级联GAN FET
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
TP65H050WS
种类
IGBT晶体管
品牌
Original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
标准
原产地
Taiwan, China
封装/外壳
标准
系列
--
D/C
标准
应用
标准
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
类型
三极管晶体管
信道极性
N沟道MOSFET
配置
单人
包装
场效应管
无铅状态
符合RoHS标准
条件
原始新100%
装运者
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ SF或其他
技术
MOSFET金属氧化物
包装和发货信息
Packaging Details
(Transistors) TP65H050WS 650 V 34 A CASCODE GAN FET TUBE REEL BOX
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Week 长期
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
