电子清单2sc2078晶体管mosfet c2078
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重要属性
行业属性
型号
2sc2078
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
D/C
newest
供应类型
原厂原装, 代理, Other
可参考资料
数据表, 照片, Other
品名
2SC5200
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
漏源电压（Vdss）
--
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
--
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
--
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
--
应用
General purpose
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
55 150
Supplier Device Package
TO-220
Packaging
Tube
Warranty
365days
Data Code
Latest Details
包装和发货信息
Packaging Details
export pacakge
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
0.010 公斤
供应能力
供应能力
99999 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 4 | 待定 |
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