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Mosfet高频晶体管NE22至220 ne22 mosfet NE22

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重要属性

行业属性

型号
NE22
种类
Other
品牌
ALL BRAND
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
D/C
22+
应用
standard
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
Field Effect Tube
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
PN.
ne22 mosfet

包装和发货信息

Packaging Details
原始包装
Port
HK/SZ

供应能力

供应能力
20000 件 per Week

交货时间

数量 (pieces)1 - 10001001 - 3000 > 3000
美国东部时间(天)35待定

定制

New
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供应商的产品说明

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100 - 999 pieces
€3.35
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