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大电流IRF3205 55V 110A功率mosfet IRF3205PBF-ND
暂无评价
Shenzhen GS Electronic Technology Co., LTD.
4 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
IRF3205PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
ORIGNAL
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Original manufacturer
封装/外壳
TO-220-3
D/C
最新
应用
不适用
可参考资料
数据表, 照片
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道55V 110A TO-220AB
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N-Channel
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
110A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8毫欧 @ 62A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3247pF @ 25V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
Vgs(最大值)
± 20V
包
to-220
保修
90天
包装
Stardand
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT
更多细节
请与我们联系
包装和发货信息
Packaging Details
standard packaging
Port
shenzhen/HK
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 2000
> 2000
美国东部时间(天)
7
待定
供应商的产品说明
最低起订量: 10 pieces
US$0.50 - US$2.50
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