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(100)-平面Si掺杂2英寸GaAs-Si GaAs衬底半导体材料
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重要属性
其他属性
原产地
China
品牌
GaNova
型号
JDCD10-001-001
类型
GaAs晶片
Growth Method
VGF
Conduct Type
S-C-N
Dopant
GaAs-Si
Orientation Angle
0°
OF Orientation
EJ[0-1-1]±0.5°
OF Length (mm)
17±1
IF Orientation
EJ[0-11]±0.5°
Thickness(um)
350±20
包装和发货信息
Packaging Details
carton
Port
Shanghai
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
