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Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 1

Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 2

Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 3

Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 4

Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 5

Disque dur SSD interne NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans - Product Image 6

Disque dur SSD interne NVMe M.2 2280 64 Go PCIe de type industriel, prix d'usine, nouveau, en alliage d'aluminium, garantie de 3 ans

24-24,50 $US

quantité minimum: 100 pièces

Agrade Storage International Corporation Limited

2 yrs

Hong Kong (RAS) flag

HK

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 1

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 2

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 3

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 4

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 5

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits - Product Image 6

Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V250BW 250GB SSD 980 NVMe M.2 PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits

199 $US

Lower priced than similar

quantité minimum: 1 pièce

Xiawei (shenzhen) Computer Technology Co., Ltd.

5 yrs

CN

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 1

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 2

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 3

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 4

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 5

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C - Product Image 6

Batterie LiFePO4 à décharge profonde de qualité A 334Ah 3.2V EV LF334 pour applications solaires, ESS, UPS, EV, marines, 4000 cycles, -35~65°C

67,40-69,40 $US

quantité minimum: 1 pièce

Shenzhen Nogi Battery Technology Co., Ltd.

1 yrs

CN

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 1

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 2

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 3

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 4

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 5

Disque SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables - Product Image 6

Disque SSD interne M.2 NVMe 2280 PCIe Gen3 3000 Mo/s pour le gaming, mise à niveau du disque dur, faible consommation d'énergie pour ordinateurs portables

166-332 $US

quantité minimum: 1 pièce

Shenzhen Tianzong Xinyuchi Semiconductor Co., Ltd.

1 yrs

CN

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 1

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 2

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 3

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 4

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 5

SSD interne M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant - Product Image 6

SSD interne M.2 NVMe série G3100 PCIe 3.0 2280 de la marque KANAGA, vente directe du fabricant

43,07-147 $US

quantité minimum: 1 pièce

Shenzhen Tianzong Xinyuchi Semiconductor Co., Ltd.

1 yrs

CN

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 1

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 2

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 3

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 4

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 5

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car - Product Image 6

Batteries lithium-ion prismatiques NMC 3,7V 58Ah 93Ah 117Ah 129Ah 137Ah pour pack de batteries DIY pour voiture électrique, voiturette de golf, camping-car

28,20-38,50 $US

quantité minimum: 1 pièce

Shenzhen Nogi Battery Technology Co., Ltd.

1 yrs

CN

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 1

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 2

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 3

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 4

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 5

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles - Product Image 6

Batterie LiFePO4 prismatique de qualité A E-V-E EV E LF32 3.2V 32Ah, cellule de batterie lithium-ion à charge rapide 2C, 3500 cycles

11,40-12,50 $US

quantité minimum: 1 pièce

Shenzhen Nogi Battery Technology Co., Ltd.

1 yrs

CN

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 1

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 2

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 3

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 4

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 5

Great Wall GW5000 M.<span class=keywords><strong>2</strong></span> NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC - Product Image 6

Great Wall GW5000 M.2 NVMe PCIe4.0 2T 3D NAND Flash pour SK Hynix pour une vitesse de lecture/écriture élevée, nouveau disque interne pour PC

78,99-218,49 $US

quantité minimum: 5 unités

Shenzhen Tanlr Intelligent Technology Co., Ltd.

1 yrs

CN

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